Professeur Adjoint
Doctorat en génie physique ‘Engineering Physics’, 2000, Faculté d’Ingénierie, Université de Ain Shams, Le Caire, Égypte.
Tel interne : 1162
Bureau : 205
Profil
Khaled Kirah est professeur adjoint de génie physique à la Faculté d’Ingénierie, Université de Ain Shams, Le Caire, Égypte. Il est en détachement à l’UFE depuis septembre 2007.
Activités d’Enseignement
Divers cours de physique pour l’ingénieur et cours reliés aux matériaux électroniques et aux dispositifs à semiconducteurs.
Activités de Recherche
Silicon Electrochemistry
Modeling of Leakage Current In Ultra-Thin Oxides
Carbon Nanotubes
Publications Récentes
A. H. Phillips, N. A. I. Aly, K. Kirah, H. E. El-Sayes, "Transport Characteristics of Mesoscopic Radio-Frequency Single Electron Transistor", Chin. Phys. Lett., Vol. 25, No. 1 (2008) 250.
M. I. Ossaimee, S. H. Gamal, K. A. Kirah, O. A. Omar, "Studying of Ballistic Transport in Schottky Barrier Carbon Nanotube FETs", Electronic Letters, 28 February 2008, Vol. 44, Issue 5, p. 336-337.
K. Kirah, “The Calculation of Stress Induced Leakage Current (SILC) in MOSFET’s Using a Simplified Quantitative Model”, Scientific Bulletin, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Vol. 43, No. 1, March 31, 2008.
M. Ossaimee, S. Gamal, K. Kirah, O. A. Omar, "Simulation of Ballistic transport in MOS-Carbon Nanotube FET’s", Scientific Bulletin, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Vol. 43, No. 1, March 31, 2008.
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