د. خالد كيره

 د/ خالد كيرة
 الدرجة العلمية : أستاذ مساعد
 دكتوراة في الفيزياء الهندسية ٢٠٠٠ ، كلية الهندسة ، جامعة عين شمس
 الرقم الداخلي : ١١٦٣
 رقم المكتب : ٢٠٥

 الدكتور خالد كيرة يشغل وظيفة أستاذ مساعد فى الفيزياء الهندسية بكلية الهندسة، جامعة عين شمس، القاهرة، وهو فى إعارة للجامعة الفرنسية منذ سبتمبر ٢٠٠٧.

التدريس

يقوم بتدريس مقررات فى التخصصات التالية:
 Engineering Physics
 Electronic Materials
 Electronic Devices

الأبحاث

 Silicon Electrochemistry
 Modeling of Leakage Current In Ultra-Thin Oxides
 Carbon Nanotubes

مختارات من الإصدارات

 A. H. Phillips, N. A. I. Aly, K. Kirah, H. E. El-Sayes, "Transport Characteristics of Mesoscopic Radio-Frequency Single Electron Transistor", Chin. Phys. Lett., Vol. 25, No. 1 (2008) 250.

 M. I. Ossaimee, S. H. Gamal, K. A. Kirah, O. A. Omar, "Studying of Ballistic Transport in Schottky Barrier Carbon Nanotube FETs", Electronic Letters, 28 February 2008, Vol. 44, Issue 5, p. 336-337.

 K. Kirah, “The Calculation of Stress Induced Leakage Current (SILC) in MOSFET's Using a Simplified Quantitative Model”, Scientific Bulletin, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Vol. 43, No. 1, March 31, 2008.

 M. Ossaimee, S. Gamal, K. Kirah, O. A. Omar, "Simulation of Ballistic transport in MOS-Carbon Nanotube FET's", Scientific Bulletin, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Vol. 43, No. 1, March 31, 2008.